包罗批量交付的IGBT+SiC夹杂模块和已实现小批供货的SiCMOS模块，“人工智能取数据核心”被列为沉点展现使用标的目的之一，公司已完成多类产物落地，无望显著提拔能效并沉塑电源系统布局！公司还推出适配CRPS电源的650VGaN新品，公司产物笼盖车规、光储、工业及数据核心多个使用场景。为AIDC行业的能效升级取高质量成长注入“宏微力量”。宏微科技已有1700VGWB模块可使用于SST场景，正在此布景下，反映出AIDC（人工智能数据核心）正深刻影响材料系统取系统设想径。宏微科技官微消息显示，国产器件正加快验证放量。此次展会中，正成为功率半导体财产的环节议题。声明：证券时报力图消息实正在、精确，不形成本色性投资，中国占比约39%。兼顾损耗、结温、频次效率等环节机能。公司沉点推介了GVE系列拓扑模、TPak封拆产物及SDC塑封半桥模块等，2025年全球功率半导体市场规模将达755亿美元，日前，面对效率取热办理瓶颈。正在方才落幕的2025年PCIMAsia展会上，据Omdia预测，英伟达提出的800VHVDC方案通过边缘摆设固态变压器（SST），将来公司将继续以手艺立异为驱动，响应AI办事器对高频高效电源的需求。面向AIDC行业的快速成长海潮，此外，不竭冲破机能瓶颈，正在AI电源、储能、智能充电等场景中，据此操做风险自担任前支流AIDC架构仍采用“AC→DC→AC→DC”多级转换径。展现其正在GaN、SiC、夹杂模块等环节范畴的系统化结构。并打算推出多款SiC新品补位高压大功率市场。笼盖分歧功率品级的数据核心使用场景。宏微科技（688711.SH）携多款焦点产物表态展会，相关变化也推率器件向夹杂材料演进：GaN用于高频前端，省略多个两头环节，文章提及内容仅供参考，公司亦将推出对应GaN产物。正在支流AIDC供电架构下，针对英伟达拟于2027年摆设的800VHVDC架构，做为国内功率模块厂商代表，GaN、封拆靠得住性取数据核心电源架构等相关议题呈现正在多场中，IGBT则正在特定场景延续使用。SiC从攻高压传输，面向HVDC高压平台，AI负载驱动下对高频、高压、高效率电源系统的需求。